armarmv8的数据库
ARMv 8有一组精心设计的dc和ic指令，分别用于管理数据和指令缓存。
它们的确切描述比“刷新L2数据缓存”等更复杂，因为ARMv 8有一个抽象的缓存模型，该模型基于缓存可能彼此偏离的“点”。可以通过虚拟地址或通过显式级别/集合/路地址使高速缓存行无效或写回（“清除”）。所以你有像dc civac，数据缓存清理和无效的虚拟地址一致性点的指令。
在ARMv 8架构参考手册（第D7.4节）中，该高速缓存模型的完整定义约占30页，另外约60页用于描述实际的缓存维护指令（C5.3）。
大多数这些与应用程序员无关，实际上，许多形式的ic/dc指令都是特权的，无论如何都不能由应用程序执行。ARMv 8内存模型保证数据缓存在“内部共享域”中是一致的，其中包括可能运行程序线程的所有核心，因此不需要显式的缓存管理指令来与其他线程共享变量。（当您需要确保以特定顺序加载和存储 * 提交 * 到一致性缓存时，您仍然需要像ldar/stlr/dmb这样的内存屏障，例如获取，释放或顺序一致性。
影响应用程序编程的一个方面是，与x86不同，指令和数据缓存既不统一，也不一致。因此，当您写入稍后将作为指令执行的数据时，例如当加载二进制或JIT编译时，您确实需要显式地将相关行从数据缓存清理到“统一点”，然后使它们从指令缓存中无效，最后执行同步屏障（isb）以刷新已从缓存中预取的任何指令。有关更多详细信息，请参见在ARM上同步JIT/自修改代码的缓存。
内存Map的I/O寄存器应该在内核设置的页表中标记为“设备内存”，这会自动免除它们的缓存和重新排序，因此您不需要显式的缓存刷新或屏障来访问它们;普通的负载和储备就足够了。某些系统可能需要DMA的显式缓存管理。
C/C编译器不会发出任何缓存维护指令（也不会发出屏障）用于volatile读取和写入。您所得到的是通常的保证，即volatile读/写只执行一条加载/存储指令。如上所述，这对于内存MapI/O访问应该足够了，这是C/C中volatile的主要合法用途。如果您正在执行的其他操作实际上需要缓存维护，则必须自己插入这些指令。对于上面描述的JIT情况，gcc/clang提供了__builtin_clear_caches()。
其他语言如C#/Java对volatile有不同的语义，更像是C _Atomic或C++ std::atomic。在这种情况下，您将获得内存屏障，但仍然没有缓存维护。